本文研究了一种新的相变记录材料—GaSbBi。对靶材的组织与性能，薄膜的结构、结晶动力学及光学性质进行系统的测试分析。 采用冷等静压+热等静压工艺制备GaSbBi靶材。该系列靶材为GaSb+（Sb，Bi）共晶组织，具有很好的致密度，具有合适的熔点温度。同时，随着Bi含量的增加，物质的晶格参数变大，熔点降低。 薄膜的X衍射分析表明，结晶态薄膜随着Bi含量的增加，Sb相的晶格参数c值增大。对不同退火温度的Ga₁₂Sb_79.2Bi_8.8薄膜的XRD分析表明，退火温度的改变对晶粒大小和结晶度有较大的影响，350℃退火晶粒平均尺寸最大，400℃退火则结晶度最好。 对薄膜的DSC测试分析表明，随着Bi的含量的增加，结晶温度下降，通过Kissinger方法计算得到晶化激活能。在掺杂成分范围内，晶化激活能随着Bi的含量的增加而降低，从而提高非晶薄膜的晶化速率，但晶化活化能均大于2.0ev，因此依旧满足稳定性要求。 薄膜的分光光度计测试表明，Ga₁₂Sb_79.2Bi_8.8的性能满足光学性能要求，结晶态薄膜的吸光度高于非晶态的吸光度，可以降低物质在读取信息的变形，衬比度最小为28.78％满足光学性能反射率的要求。Ga₁₂Sb₈₈和Ga₁₂Sb_83.6Bi_4.4读取信息的时候有可能会造成信息的丢失。通过对Ga₁₂Sb₈₈、Ga₁₂Sb_83.6Bi_4.4和Ga₁₂Sb_79.2Bi_8.8三种薄膜的对比分析，得到了随着Bi含量的增加，透射率增加，吸光度减小，光学禁带宽度相差很小，Ga₁₂Sb_83.6Bi_4.4的反射率的值最高，但是Ga₁₂Sb_83.6Bi_4.4的衬比度最小。