热电材料是一种可以将热能与电能相互转化的功能材料,在废热发电和制冷等方面有着广泛的应用前景。2014年,硒化锡（SnSe）作为一种新兴的热电材料,其特殊的层状结构以及晶格非简谐效应使其具有低的热导率和高的热电优值（ZT）,引起人们的广泛关注。目前,在单晶和多晶SnSe块体材料中,通过对其层状结构调控实现了热电性能的显著提高。但同时发现SnSe块体材料的层状结构调控受到制备工艺复杂、材料机械性能差等诸多方面的限制,热电性能很难进一步提升。而薄膜材料由于在层状结构调控方面具有更强的操控性和更显著的量子尺度效应,在SnSe热电性能提高方面具有重要的研究价值。本文采用磁控溅射法生长SnSe热电薄膜,研究了衬底温度、成分调控和缓冲层对SnSe薄膜结构和热电性能的影响。主要内容及结论如下:1、研究了衬底温度对SnSe薄膜结构和热电性能的影响:发现在玻璃衬底上直接生长的SnSe薄膜具有SnSe单相结构且沿（111）晶向择优生长。随着衬底温度的升高,薄膜晶体质量改善,Se/Sn化学计量比降低,热电性能提高。在高温生长（T_S=285℃）的SnSe薄膜中最大功率因子（PF）达1.4μWcm^-1K^-2。2、研究了氧化石墨烯缓冲层对SnSe薄膜结构和热电性能的影响:在玻璃衬底上旋涂氧化石墨烯缓冲层,通过溅射生长得到SnSe/GO/Glass薄膜,发现SnSe薄膜具有沿（100）晶面的a轴高度择优取向,薄膜表面平整,层状生长显著。SnSe/GO/Glass薄膜最大功率因子达到2.28mWcm^-1K^-2。3、研究了局域异质结对SnSe薄膜热电性能的影响:制备了一系列x at.%Mo-SnSe（x=0,1.3,2.6,3.9,5.2,6.5）多层膜,并对其在350℃退火处理。在退火处理的Mo-SnSe多层膜上观察到了局域的SnSe₂/SnSe、MoSe₂/SnSe异质结分布。这些局域异质结改变了SnSe晶界处的能量势垒高度（E_B）,增强了载流子能量过滤效应。4、研究了Pb对SnSe薄膜热电性能的影响:用共溅法制备了Pb_xSnSe（x=0,0.1,0.33,0.51,0.66,0.75）系列薄膜,当x>0.1时,SnSe薄膜中形成了PbSe第二相,提高SnSe薄膜的载流子浓度和迁移率,Pb_0.75SnSe样品最大功率因子达到8.76μWcm^-1K^-2。