信息产业在国民经济中占有重要地位;多种新型电子产品的相继发明和发展推动了科技的进步,也让人们的生活和工作变得更加便利。作为电子产品的基本元器件之一,晶体管在信息产业中占有举足轻重的地位。近年来,基于有机半导体研制的有机薄膜晶体管（OTFT）因自身具有的价格低廉、可溶液法加工、低温制备、机械柔性好等优点,在平板显示、柔性集成电路、传感器、存储器等领域有广阔的应用前景,备受科研人员的关注。器件性能是制约OTFT及其功能性应用发展的主要问题之一。栅绝缘层对OTFT的性能及其功能性应用有重要影响。我们针对于栅绝缘层开展了系统性的研究工作,提升了OTFT的综合性能参数,发展了OTFT在非易失性存储器（NVM）方面的功能性应用。（1）基于三层聚合物薄膜,构建了复合型的栅绝缘层,研制了高性能的柔性OTFT;同时实现了显著降低器件的工作电压、提升场效应迁移率、以及工作稳定性的研究目标。系统性的分析、探讨了基于复合型栅绝缘层结构、提升柔性OTFT综合性能参数的物理机制。作为结果,我们研制的柔性OTFT的工作电压可低至4 V,场效应迁移率高至2.6 cm~2/Vs,也同时展现了良好的工作稳定性与机械柔韧性。（2）发展了OTFT在存储器方面的功能性应用。基于全溶液法工艺,研制了透明的、具有良好的光学稳定性的铁电型有机薄膜晶体管非易失性存储器（Fe-OTFT-NVM）;其场效应迁移率达到0.73 cm~2/Vs,在±70V的擦写电压下,其存储开关比达到10~3～10~4,存储窗口达到50V左右,以及50000s的存储保持时间。在波长为490,565,625nm的光照下,Fe-OTFT-NVM的透明度达到80%以上,并且展现了良好的光稳定性。（3）目前,工作电压过高是Fe-OTFT-NVM中仍普遍性存在的问题,也是制约其实用化的主要问题之一。为此,我们设计并制备了以P（VDF-TrFE）作为绝缘层,交联PVP作为修饰层的复合型栅介质层结构的Fe-OTFT-NVM,器件工作电压达到了±4V,在8000s的保持时间内,器件的存储特性非常稳定,可靠的擦写循环次数超过了1000次。