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含有3d过渡族金属元素的层状氧化物作为新型热电材料具有较高的Seebeck系数和较低的电阻率,引起了广泛的研究。正交结构的SrCuO2同样具有层状结构,双CuO链和Sr-O层分别作为载流子输运层和载流子库层沿6轴交替堆垛。本文以正交的SrCuO2为对象,对其制备和在373～873K的热电性能进行了研究。本文研究了SrCuO2及其Ni掺杂样品的固相反应制备方法,制定了优化的固相反应制备工艺。以硝酸盐为起始原料、柠檬酸为络合剂,采用溶胶凝胶法制得金属氧化物粉末,再在优化的固相反应温度935℃作用下,制备单相的正交的无掺杂SrCuO2及纯度较高的Ni掺杂SrCuO2。并利用该优化的固相反应工艺,制备系列的正交结构的Cu位Ni掺杂、Sr位K、Na掺杂以及Sr位和Cu位共掺杂的SrCuO2样品。本文讨论了元素掺杂对SrCuO2结构的影响。结果表明,掺杂元素均在一定程度掺杂进入晶格,并引起SrCuO2晶格的变化。结合XRD结果、晶格常数变化、晶胞体积变化和SEM照片,分析确定了Ni在SrCuO2中的临界掺杂量。利用Ni掺杂和K、Na掺杂引起的SrCuO2晶格常数的变化规律,分析了共掺杂中杂相消失和生成的原因。另外,样品的SEM结果表明K、Na掺杂会导致晶粒再结晶长大,而Ni掺杂能够抑制晶粒长大。本文对SrCuO2及其元素掺杂样品的电导率和Seebeck系数进行了分析,考察了样品的热电性质,讨论了Cu位Ni掺杂、Sr位K、Na掺杂以及Sr位和Cu位共掺杂对SrCuO2的热电性能的影响。结果表明,所有样品在373～873K均表现出热电效应,且其Seebeck系数为正；电导率随温度的变化体现了样品的半导体性质。对比SrCuO2和元素掺杂SrCuO2的热电性能,Cu位Ni掺杂一定程度地提高了SrCuO2的Seebeck系数,Sr位K、Na掺杂大幅提高了其电导率,无论是单独掺杂还是共掺杂,适量掺杂均提高了SrCuO2的热电性能。