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本篇论文主要包括金属诱导结晶硅及其在可见光全波段高反膜中的应用两部分研究。由于金属Ni诱导引入少子复合中心,而金属Al诱导带来的金属污染,使其不适合应用于太阳能电池中,论文提出了采用金属Cu作为诱导材料进行金属诱导硅结晶。Cu与Si均在室温下同一真空室中进行连续直流溅射,在低温(480℃)真空条件下退火,从而样片能够在普通玻璃衬底上进行大面积、低成本制备。经测试得到的晶化率为73%,平均晶粒尺寸约48nm,得到了较好的结晶效果。薄膜厚度、溅射真空度、退火时间和温度等工艺参数对结晶质量都有一定的影响。论文工作还尝试了衬底高温、引入缓冲层等提高结晶质量的方法,但未能明显提高晶化率和晶粒尺寸,因此,制备的多晶硅薄膜距太阳能电池应用尚存在一定距离。但是,诱导晶化大幅提高了多晶硅薄膜的透光性,可以将结果应用于其他领域。论文将Cu诱导结晶硅的研究结果应用于可见光全波段高反膜的研究中,高反膜采用了经典的介质高反膜的折射率“高-低-高”排列结构。为了同时获得较高的折射率和较大的截止带宽,选用poly-Si/SiO2/α-Si的三层复合膜结构。全部溅射过程在室温下同一真空室中连续完成,其中poly-Si借鉴前一部分论文工作中Cu诱导硅晶化的研究结果,利用poly-Si良好的透光性作为复合膜顶层,复合膜退火后完全绝缘。此复合膜在可见光全波段(380nm～780nm)的反射率大于60%,其中400nm～700nm波段的反射率近似80%,覆盖了PDP中荧光粉的波长范围。此外,膜层材料折射率、透光性和各层膜厚度对整个反射率曲线均有一定影响。此复合膜可应用于等离子显示器背基板上减少可见光的透射,提高出光效率,从而减少透射光对其他像素的串扰,提高对比度。值得一提的是,复合膜的反射率曲线形状可通过膜厚灵活调节,因此可以有针对性地提高短波长的反射率,补偿PDP色温偏低的缺点,这是论文中复合膜的重要优势,具有实际的应用价值。