硫化钴纳米管、薄膜的制备及其物性的研究

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金属硫化物纳米材料具有特殊的非线性性质、荧光特性、量子尺寸效应和其它的重要物理化学性质,具有广阔的应用前景,其重要代表——钴的硫化物一直是人们研究的热点。 论文主要包括三部分: (一)介绍了阳极氧化铝模板在纳米材料组装中的优点,并对常见的AAO模板组装方法进行了详细分析;从优点、理论基础两方面对化学浴沉积法进行了简要介绍,回顾了其发展历程,并探讨了其最新研究动向。 (二)提出了以阳极氧化铝为模板的定向渗透自组装技术,并成功制备了Co<,9>S<,8>纳米管阵列。在反应中,二甲基亚砜起到了强渗透剂和携带剂的作用。X射线衍射的研究表明,当退火温度从350℃逐渐升高到500℃的过程中,硫化钴样品发生了晶相转换,由CoS<,1.97>和Co<,3>S<,4>相逐渐转变为Co<,9>S<,8>相。通过对透射电镜、扫描电镜照片的分析,阐述了硫化钴纳米管的生长机理。最后,对样品的磁特性进行了详细研究,发现制备的Co<,9>S<,8>纳米管是一种软磁材料,且有着与大多数磁性纳米线不同的磁各向异性。 (三)在磁场中,利用改进的化学浴沉积技术成功制备了分布有棒状结构的硫化钴薄膜,并对样品的晶体结构和表面形貌进行了表征,讨论了外部磁场作用下棒状结构的生长机理。对薄膜的介电性质进行了研究,分析了介电常数和介电损耗因子随频率变化的原因。
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