本论文对薄膜晶体管（Thin-Film Transistors,TFT）可靠性问题进行了研究,着重澄清了器件的退化机制。第一部分对a-IGZOTFT在自加热（SH）应力下的退化机制进行研究,澄清了栅压（VG）以及功率（P）对退化的影响;第二部分对P型柔性LTPS TFT在动态弯曲应力下的退化机制进行研究,澄清了器件的动态弯曲退化是外界气氛中水氧共同作用的结果,改进并完善了器件在动态弯曲应力下的退化模型。1.a-IGZOTFT自加热退化的机制研究a-IGZO TFT在长时间驱动较大电流时会产生焦耳热继而引发自加热可靠性问题。目前对于a-IGZO TFT自加热退化的主导因素仍存在一些分歧:主导器件SH退化的是VG还是P?因此本文针对此问题对a-IGZOTFT的SH退化机制进行了研究,阐明了 VG和P两个关键因素在器件退化中的作用。通过调节栅压VG和漏电压VD,可设置一系列P随VG增大而减小的SH应力条件,这种VG和P相反的变化趋势有助于凸显SH退化的主导因素。a-IGZOTFT的SH退化表现为转移特性曲线先轻微平行正漂,再显著负漂的两阶段退化,亚阈值摆幅（SS）没有发生变化。不涉及到SS变化的阈值电压（Vth）正漂是由于沟道/栅氧（Gate Insulator,GI）界面或者栅氧中发生的电子捕获。通过对正漂退化量的详细分析,发现真正影响退化的并不是VG本身。考虑到VD对沟道电势的影响,可以引入新的应力因子,有效栅压VGC（VGC≈VG-0.5 VD）,来对退化进行分析。经分析发现,VGC和P都对电子捕获有增强作用,其中VGC在大多数情况下起主导作用,而P只有在足够高的情况下才可体现出其对退化的主导作用。第二阶段Vth负漂的退化机制可归因于与水有关的正电荷产生机制。与正漂相似的是,P和VGC都可促进负漂退化,但是负漂退化对P更为敏感,VGC仅在P较小时才可表现出其作用。2.柔性LTPS TFT动态弯曲退化的机制研究目前对于柔性LTPSTFT的动态弯曲退化机制仍未明确。已有研究表明,在空气中对柔性LTPS TFT进行动态弯曲,应力撤除后会出现一种罕见的退化行为与施加应力时相似的“自发退化”现象,且该“自发退化”同环境气氛的组分明确相关。那么柔性LTPS TFT的动态弯曲退化是否与外界环境气氛相关?因此需要对动态弯曲实验的气氛条件进行控制,以澄清器件的动态弯曲退化机制。本文的研究表明,柔性LTPS TFT在空气中的动态弯曲退化为转移特性曲线正漂,而在氩气中,动态弯曲退化微乎其微。这两种不同的退化现象说明在空气中所观察到的显著退化是外界气氛的作用主导。之后,分别研究了 N2、O2、水汽作用下以及水氧共同作用下器件的动态弯曲退化,发现动态弯曲退化是外界气氛中水氧共同作用的结果,并且水氧混合气氛中水和氧气的体积比例也会影响到器件的动态弯曲退化,在水氧体积比（PH2O:PO2）=1:130左右时,器件的退化最大。最后,提出了与水相关的陷阱的产生,在现有的“氧气辅助的电子输运俘获”的自发退化模型基础上,改进并完善了气氛主导的动态弯曲退化模型。