本文通过“合成渐近”法得到有耗衬底射频集成电路中几种基本元器件的CAD公式。硅基射频集成电路采用硅衬底，其中上层介质（SiO<,2>）很薄，下层介质（Si）有耗并接地，硅衬底采用高阻硅。通过“自展”，可以从简单结构的CAD公式推出较复杂结构的CAD公式，如本文中可以从简单的贴片电容公式出发最终推出较复杂的螺旋电感公式。 采用“合成渐近”法，首先推导出两层有耗介质上的微带线单位长度电容的CAD公式，从而可以计算出微带线特征阻抗和传播常数；然后用同样的办法得到了两层有耗介质上的贴片电容CAD公式，；最后得到两层有耗介质上正方形螺旋电感对地电容和电导公式，从而得到其等效电路及其S参数。 虽然每个公式中只有少数几个系数，但是所有公式的平均误差都小于2％。由于这些公式都是推导出来的而不是曲线拟合得到的，所以公式的适用范围比较广，可以覆盖公式中绝大多数参数的变化范围。更重要的是由“合成渐近”法得到的CAD公式简单，准确，物理意义清晰，这对实际射频集成电路的分析和设计非常有用。