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钙钛矿相铁电薄膜具有优异的铁电、介电、介电可调和光学等性能,在随机存储器、介电元器件、可调器件和光学元器件中具有广泛的应用市场和前景。本文以典型的A位和B位掺杂PbTiO3 （PT）的（Pb,Sr）TiO3 （PST）和Pb（Zr,Ti）O3 （PZT）薄膜为研究对象,通过分析掺杂、取向和形成渗流型结构等手段对薄膜形成和性能的影响,探索薄膜性能改善的机理。具体研究内容及主要结论如下：1)通过溶胶凝胶法制备Mg掺杂的Pb0.35Sr0.65TiO3薄膜,将Mg离子引入PST薄膜中进行B位掺杂取代Ti形成Mg"π缺陷,通过使得Ti4+变价为Ti3+形成Ti’Ti缺陷,有效地降低了薄膜内氧空位的含量,同时,薄膜体系中的Ti’Ti缺陷还可以与氧空位形成Ti’Ti～V（?）缺陷偶极子对,对氧空位的自由迁移形成有效的束缚,大大降低了氧空位的迁移能力,从而降低了薄膜的介电损耗。当Mg掺杂含量为6mo1%时,PST薄膜的介电损耗与纯PST薄膜相比降低了30%。2)利用溶胶凝胶法制备Ag掺杂的PbZr0.52Ti0.48O3薄膜,通过引入过量的银离子,其中一部分掺杂进入PZT晶格从而降低由于铅挥发形成的缺陷,提高了薄膜的结晶性能。利用银铅二元共晶体系的特性,控制另一部分银离子与铅离子在热处理前期形成了Ag-Pb合金亚稳过渡相，并在随后的热处理过程逐渐分解形成了纳米银颗粒,解决了PZT薄膜结晶能力弱而难以在其中形成纳米银的问题,并形成了掺杂Ag/PZT薄膜的渗流结构体系,薄膜的介电常数有了显著的提高,渗流型Ag/PZT薄膜的介电常数比纯PZT的介电常数高出230%。同时,薄膜中纳米银增强了薄膜内部电场,降低了薄膜高介电可调性和铁电性所需的调制电压。在获得相同性能的情况下,渗流型Ag/PZT薄膜的的介电可调调制电压和矫顽场比纯PZT薄膜的分别低45%和29%。3)在取向PT的基板上制备取向PZT的过程中,在体系中引入银离子,由于在取向PT上诱导取向PZT形成时,PZT的结晶能低,能迅速结晶形成致密的基体,对Ag的扩散形成强的阻碍作用,降低了Ag的扩散速率,从而在取向PZT中形成了纳米银颗粒,在取向PZT中实现了渗流效应,大大提高了薄膜的介电可调性能和降低了调制电压,与随机取向的纯PZT相比,取向PZT复合纳米银薄膜的介电可调性高出100%,调制电压低60%。4)利用纳米银的等离子共振吸收峰的峰位与其粒径有关,设计在薄膜中形成一定粒径分布的纳米银,从而提高了薄膜光的吸收宽度。通过控制溶胶形成以及热处理,在薄膜中形成了平均尺寸为30nnm的六方银和平均尺寸为5nnm的立方银,产生了相互不重叠的吸收峰,将光的吸收宽度提高了35%。