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目的缺血性脑血管病遗留的神经功能障碍一直是困扰人类医学的难题。随着对缺血性脑血管病研究的深入,发现脑缺血后相当部分的血管能自然再通或溶栓治疗后血流恢复再通,但随之出现再灌注损伤。治疗性血管新生方法的出现,为缺血性脑血管病的治疗开辟了一条通向缺血性脑血管病血管再生的新途径。研究发现,适当地调控治疗性血管生成的进程对有效的改善脑缺血很有必要。血管新生的调节途径主要包括两条:一条是血管内皮生长因子(vascular endothelialgrowth factor,VEGF)及其受体(flt-1等)调节通路,另一条是血管生成素(angiopoietin,Ang)及其受体(Tie)调节通路,这两条途径协同作用,共同促进机体血管形成。血管内皮生长因子是已知的促进血管生长作用最强的细胞因子,VEGF/VEGFR系统激活使内皮细胞增生并诱导新生血管形成,新生血管从正常脑组织向半暗带及缺血中心区延伸,增加受累脑组织再灌注及供氧量,从而减轻缺血再灌注损伤。Ang-1/Tie-2调节通路对于血管生成过程中血管的成熟与稳定、调控血管的完整性有重要意义。血管生成素-1(Ang-1)可以抑制血管内皮细胞的凋亡,减轻脑缺血后血脑屏障的渗漏从而减小梗死体积,促进血管内皮细胞的出芽与迁徙。本课题选用大脑中动脉栓塞制备脑缺血再灌注模型,观察电针对VEGFmRNA、Ang-1mRNA/Tie-2和对脑内血管新生的影响,探讨电针抗脑缺血再灌注损伤的可能机制。方法采用SD大鼠随机分为模型组(按缺血再灌注1d、2d、4d和8d分4个亚组)、电针组(按缺血再灌注1d、2d、4d和8d分别加电针刺激分为4个亚组)、假手术组、正常对照组,每组10只,共100只。采用改进的Longa线栓法,制备大脑中动脉线栓法脑缺血再灌注模型。并采用Zea-Longa5级评分标准对模型大鼠神经功能障碍评分,只有神经功能障碍在1级以上的大鼠才能保留下来。电针组选用疏密波刺激“百会”、“水沟”、双侧“足三里”穴。运用免疫组化法检测各组大鼠右侧大脑皮层的CD34阳性微血管密度和Tie-2表达的变化;运用原位杂交法检测各组大鼠右侧大脑皮层中的VEGFmRNA和Ang-1mRNA表达水平;并对各指标的时程变化和电针干预的影响进行分析。所有数据均输入计算机,以SPSS11.0软件统计包处理。结果(1)模型组和电针组大鼠造模后出现不同程度的神经功能缺损,脑缺血再灌注后各时点上,电针组各亚组神经功能缺损评分明显低于模型组相应亚组的评分(P<0.05),表明电针可以减轻脑缺血再灌注后的神经功能缺损;(2)模型组和电针组各亚组大鼠缺血侧大脑皮层均可见微血管增生,各时相电针组微血管密度高于模型组(P<0.05),说明电针能促进脑缺血再灌注后的血管新生;(3)模型组和电针组各亚组大鼠缺血侧大脑皮层VEGFmRNA表达水平升高,与正常组和假手术组比较有明显差异(P<0.05),电针组各亚组大鼠缺血侧大脑皮层VEGFmRNA表达水平明显高于相应时相的模型组亚组,两组相同时相亚组间比较有显著性差异(P<0.05),说明电针能上调脑缺血再灌注后大脑皮层的VEGFmRNA表达水平。(4)模型组和电针组缺血再灌注2d、4d、8d亚组大鼠缺血侧大脑皮层Ang-1mRNA和Tie-2表达水平升高,与正常组和假手术组比较有明显差异(P<0.05),电针组缺血再灌注2d、4d、8d各亚组大鼠缺血侧大脑皮层Ang-1mRNA和Tie-2表达水平明显高于相应时相的模型组亚组,两组相同时相亚组间比较有显著性差异(P<0.05),说明电针能上调脑缺血再灌注后大脑皮层的Ang-1mRNA和Tie-2表达水平。结论脑缺血再灌注后出现缺血区血管新生,VEGF和Ang-1/Tie-2参与了脑缺血再灌注损伤后缺血区的血管新生的发生过程。电针对脑缺血再灌注损伤后皮层血管新生有良性调节作用,能促进缺血区的血管新生,减轻脑缺血再灌注后的神经缺损,其作用可能是通过上调VEGFmRNA的表达和上调Ang-1mRNA/Tie-2的表达而实现的。