用正电子研究液封直拉法(LEC)生长InP中的缺陷特性

来源 :复旦大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jiandande

【摘要】

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化合物半导体InP中的缺陷特性对材料及器件性能有着极大的影响.氢原子因其小、轻、活性高,可通过钝化缺陷或空位等缺陷形成复合体而对液封直拉法(LEC)生长InP材料的性能有着

【作者】

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毛卫东

【机构】

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复旦大学

【出处】

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复旦大学

【发表日期】

：

2001年期

【关键词】

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化合物半导体高温退火正电子湮没液封直拉法生长氢铟空位复合体红外光照补偿缺陷

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化合物半导体InP中的缺陷特性对材料及器件性能有着极大的影响.氢原子因其小、轻、活性高,可通过钝化缺陷或空位等缺陷形成复合体而对液封直拉法(LEC)生长InP材料的性能有着重大影响.该文利用对缺陷极为灵敏的正电子湮没谱学,并结合低温实验、红外光照,系统地研究了高温退火前后的LEC InP中缺陷的电荷态、缺陷与杂质的复合体、负离子缺陷、亚稳态缺陷、DX中心等缺陷特性.获得了一些有意义的结果.

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