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【摘 要】
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硒化锡(SnSe)是一种重要的Ⅳ-Ⅵ族窄带隙p型半导体材料,其体相材料的直接带隙大小为1.3eV,间接带隙大小为0.9eV,在太阳能电池的最优带隙值区间内(1-1.5eV),其吸收系数可达约1
【机 构】
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中国科学技术大学
【出 处】
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中国科学技术大学
【发表日期】
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2014年期
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