【摘 要】
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该文研究了N,Er的联合掺杂对a-Si的作用.所有样品采用射频辅助磁控溅射方法制备.随着N掺杂浓度的增加,Er PL的热猝灭效应下降.但Er PL的发光强度也随之减少.该实验还进一步研
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该文研究了N,Er的联合掺杂对a-Si的作用.所有样品采用射频辅助磁控溅射方法制备.随着N掺杂浓度的增加,Er PL的热猝灭效应下降.但Er PL的发光强度也随之减少.该实验还进一步研究了退火处理对Er掺杂a-SiN∶H的Er PL的影响,发现Er掺杂a-SiN∶H的Er PL强度由于退火而增加.在DRAE模型中,SiDBs对Er<3+>的激发起到了重要的作用.为了研究这种作用,我们制备了各种不同Si DBs密度的Er掺杂a-Si∶H样品.该文采用以下三种方法改变Ss DBs密度:(1)在溅射环境中改变Ar∶H<,2>气体比例;(2)光照射;(3)退火.在前两种方法中,Er PL的发光强度都随着Si DBs密度的增加而减少.在退火处理的情况下,Er PL的变化分为两个阶段:随着温度上升到250℃,SiDBs密度下降,Er PL的发光强度增加;随着温度继续上升到350℃,Er PL的发光强度也相应上升,但Si DBs密度也同向增加.Er PL强度的增加可能是由于退火引起的Er<3+>化学结合环境的变化.该文还研究了Si DBs在Er掺杂a-Si∶H的缺陷PL(DefectPL)中的作用.SiDBs密度采用退火方法改变.随着Si DBs密度的增加,缺陷PL的强度减小.缺陷PL强度的减小可能是因为随着Si DBs密度的增加,与多声子有关的,从导带到悬挂键的非辐射通道迁移的增加而引起的.
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