本文主要研究含镉纳米晶材料的制备、表征及其在光伏器件中的运用。通过配体交换及优化配比等一系列措施来提高光伏器件的性能。主要内容如下：　　1.通过热注射法合成CdSe纳米棒，并运用于基于PTB7/CdSe纳米棒杂化器件的新体系，系统地研究了影响杂化薄膜电荷传输和表面形貌的因素。用乙二硫醇（EDT）和1,4-苯二硫醇（1,4-BDT）处理杂化薄膜可以得到较高效率的杂化器件（器件效率分别为2.58％和2.79%）。1,4-BDT和EDT可以替代杂化薄膜上多余的吡啶配体并在CdSe纳米棒表面形成镉-硫化物，这可以实现杂化薄膜表面缺陷的钝化，从而抑制激子复合和促进激子的分离，增加电子的传递。与此同时，我们还探讨了杂化活性层中PTB7与CdSe纳米棒比例和添加剂1,8-二碘辛烷（DIO）对器件的影响，最后得到PTB7与CdSe纳米棒的最优比例是1:5，而添加剂DIO对杂化器件的影响是负面的，这是由于DIO不能使CdSe纳米棒更好地分散进PTB7中，反而使CdSe纳米棒团聚，从而导致了杂化薄膜更加粗糙，影响器件的效率。我们预计,这一发现将刺激进一步的研究来实现更有效的电荷收集和高性能的器件。　　2.采用溶液法来获得高质量ZnCdS纳米晶。这种方法使用无毒溶剂，易于大量制备在空气中能够稳定存在的ZnCdS纳米晶，进而作为TiO2界面的修饰层。相对于TiO2器件，用ZnCdS作为TiO2界面的修饰层能有效抑制激子的重组,降低串联电阻,提高界面层中激子的分离。因此,器件的Jsc和FF都明显地提高。这些结果表明ZnCdS作为界面修饰层可以为高效光伏器件提供一种思路。　　3.以低温溶液法来获得高质量PbCdS纳米晶，并对新制备的PbCdS纳米晶进行一系列的成分及性质的研究。用PbCdS纳米晶作为光伏器件的活性层，最终得到效率为0.41%器件。导致该器件效率低的原因主要是由于PbCdS的膜形态较差。