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单室技术制备硅薄膜太阳电池是降低其成本的重要方法之一。本文在单室中采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,以降低单室沉积工艺中的界面污染和提高单室沉积微晶硅电池的性能为目标,详细研究了单室沉积中的交叉污染问题、不同处理硼污染的方法及其在微晶硅电池中的初步应用。本论文研究的主要内容如下:1.通过对硅烷浓度、辉光功率等沉积参数的调节,获得了合适光敏性、(220)晶向明显择优、次带吸收系数低的高质量本征微晶硅;通过改变掺杂比在基本不影响掺杂材料特性的基础上,提高了材料的有效掺杂,减少了掺杂气体