随着经济的增长，环境问题日益恶化。半导体光催化剂由于其在利用清洁、安全、取之不尽的太阳能降解污染物方面的潜力受到了人们的关注。发展可见光响应光催化剂是光催化技术能得到实际应用的首要条件。石墨型氮化碳(g-C3N4)由于其廉价易得和相对较窄的禁带宽度(2.7eV)引起了大家广泛的兴趣。然而，g-C3N4还存在光生电子空穴对复合率较高和量子产率较低等问题。为了改善原始的g-C3N4的光催化活性，人们采取了很多方法，在这些方法中，g-C3N4与其他半导体的耦合是一种非常有效的方法。　　本文利用溶液燃烧法合成了一种含有无定形组分的MgAl2O4纳米粉体，进而通过一步煅烧法合成了MgAl2O4/g-C3N4异质结，通过降解罗丹明B(RhB)和亚甲基蓝(MB)测试了它的光催化性能。　　基于无定形MgAl2O4中Al-O键长缩短、禁带宽度降低的原理，进一步通过沉淀法合成了有高比表面积(159 m2/g)的介孔γ-Al2O3。制备出的Al2O3表现出了紫外光区的吸收性能。利用Al2O3缺陷位能够转移光生电子的能力，合成了Al2O3/g-C3N4异质结光催化剂，采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)，透射电镜(TEM)、红外光谱(FT-IR)和X射线光电子能谱(XPS)等对其进行了表征测试，结果证实了其异质结构。罗丹明B和甲基橙降解实验表明异质结光催化能力得到大幅度提高，可以归因于异质结较大的比表面积、对染料良好的化学吸附能力以及光生电子从g-C3N4最低分子轨道至Al2O3缺陷的有效转移。