【摘 要】
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体系的电子激发态及其激发谱性质在物理和化学中有重要的应用。因此，深入了解、精确计算体系的电子激发态有重大的意义。大量的计算表明密度泛函理论(DFT)(LDA或GGA)能精确给出体系基态的几何结构和基态电子密度分布。但是，密度泛函理论不能描述半导体和绝缘体的电子激发态，密度泛函理论通常严重低估半导体和绝缘体的能隙。对于单电子激发态，采用基于格林函数的多体摄动理论，它把密度泛函的计算结果作为其零级近似
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体系的电子激发态及其激发谱性质在物理和化学中有重要的应用。因此，深入了解、精确计算体系的电子激发态有重大的意义。大量的计算表明密度泛函理论(DFT)(LDA或GGA)能精确给出体系基态的几何结构和基态电子密度分布。但是，密度泛函理论不能描述半导体和绝缘体的电子激发态，密度泛函理论通常严重低估半导体和绝缘体的能隙。对于单电子激发态，采用基于格林函数的多体摄动理论，它把密度泛函的计算结果作为其零级近似，用GW近似的电子自能改进了密度泛函理论对电子交换关联的处理，研究者们可以用它计算材料的准粒子激发谱。对
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