GeSb2Te4亚稳相结构与电学性能研究

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【摘要】

：

GeSbTe基相变存储器因其优异的非易失性、相变速度快等优点已经在商业领域得到广阔的发展。GeSbTe相变存储材料能够在晶体相(低阻态)和非晶相(高阻态)之间发生快速相变,通过对相变过程中不同相之间差异电阻率的读取从而实现对信息的读取。近几十年来,对相变存储材料的研究也越来越深入。不同工艺、不同时效过程中相变材料的亚稳相也并不相同,暂时还没有形成统一的共识。利用磁控溅射方法制备了GeSb_2Te_

【作者】

：

宋建祥

【机构】

：

北京工业大学

【发表日期】

：

2017年05期

【关键词】

：

锗锑碲薄膜磁控溅射法亚稳相电学性能

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