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ZnO是一种直接宽带隙半导体材料,具有六角纤锌矿型晶体结构,在室温下的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能约60meV。ZnO具有很好的导热、导电、化学稳定性及良好的紫外吸收性能,广泛应用于表面声波器、UV探测器、传感器、红外反射器和太阳能电池等领域。另外它还具有优越的光电性能,是制造蓝光及紫外光电器件最有应用前景的材料之一。随着光电子技术的迅速发展,对紫光和蓝光等短波长发光材料的需求越来越迫切。由于室温下ZnO的禁带宽度为3.37eV,再加之其较高的激子束缚能,故ZnO理论上不仅具备实现蓝光和紫外光