【摘 要】
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该文对超薄栅氧化层经时击穿(TDDB)击穿机理和可靠性表征方法以及深亚微米MOS器件热载流子效应(HCE)进行了系统研究.主要研究结果如下:首先,利用衬底热空穴(SHH)注入技术分别
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该文对超薄栅氧化层经时击穿(TDDB)击穿机理和可靠性表征方法以及深亚微米MOS器件热载流子效应(HCE)进行了系统研究.主要研究结果如下:首先,利用衬底热空穴(SHH)注入技术分别控制注入到超薄栅氧化层中的热电子和空穴的数量,定量研究了热电子和空穴注入对超薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化.首次提出了超薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和空穴共同作用导致的新观点.该文通过衬氏热载流子注入技术,研究了热载流子增强的超薄栅氧化层TDDB效应.该文提出了一个全新的热载流子增强的超薄栅氧化层经时击穿模型.其次,该文分别研究了FN隧穿应力和热空穴(HH)应力导致的超薄栅氧化层漏电流瞬态特性.该文分别在恒压和恒流应力条件下测试了超薄栅氧化层的击穿特性,研究了TDDB的可靠性表征方法,对相关击穿电荷Q<,bd>进行了实验测试和分析.该文在陷阱电荷密度的测量和计算方面取得重要结果.采用恒定电流应力对超薄栅氧化层MOS电容进行了TDDB评价实验,提出了精确测量和表征陷阱密度和累积失效率的方法.该文还研究了深亚微米交流应力下MOS器件的热载流子效应,主要讨论了脉冲应力条件下的热空穴热电子交替注入对nMOSFETs的退化产生的影响.
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