【摘 要】
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本文采用化学气相沉积法(CVD)在金属铜表面生长多层石墨烯/碳纳米管阵列结构,对制备的样品进行热处理,及其与金属氧化物进行复合以提高材料的电化学性能。利用SEM、TEM、Raman光谱及XPS等技术对材料的形貌和微观结构进行表征。利用电化学工作站测试材料的电化学性能。主要研究内容如下:1、通过化学气相沉积法在金属铜表面生长多层石墨烯薄膜,并以石墨烯作为过渡层在其表面生长碳纳米管阵列,形成石墨烯/碳
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本文采用化学气相沉积法(CVD)在金属铜表面生长多层石墨烯/碳纳米管阵列结构,对制备的样品进行热处理,及其与金属氧化物进行复合以提高材料的电化学性能。利用SEM、TEM、Raman光谱及XPS等技术对材料的形貌和微观结构进行表征。利用电化学工作站测试材料的电化学性能。主要研究内容如下:1、通过化学气相沉积法在金属铜表面生长多层石墨烯薄膜,并以石墨烯作为过渡层在其表面生长碳纳米管阵列,形成石墨烯/碳纳米管杂化结构。结果表明,碳纳米管为多壁结构,管径约为9 nm,结构完整,缺陷较少。2、对石墨烯/碳纳米
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