【摘 要】
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论文中,我们使用了X光双晶衍射（含四圆衍射）、高能反射电子衍射（RHEED）、原子力显微镜（AFM）、透射电子显微镜（TEM）等技术分析了多型体材料SiC和GaN的相和缺陷特性.主要内容包括：1.利用
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论文中,我们使用了X光双晶衍射（含四圆衍射）、高能反射电子衍射（RHEED）、原子力显微镜（AFM）、透射电子显微镜（TEM）等技术分析了多型体材料SiC和GaN的相和缺陷特性.主要内容包括：1.利用X射线四圆衍射和双晶衍射技术判定了SiC体单晶的结构与极性.2.分析了衬底Si(001)上CVD外延生长的3C-SiC中的微孪晶缺陷.3.利用同步辐射X射线衍射技术研究了GaAs(001)衬底上MOCVD外延生长的GaN缓冲层的结构特性.4.利用X射线双晶四圆衍射技术判定了GaAs衬底上C-GaN中与衬底表面成54.74°的{111}Ga面和{111}N面,研究了杂相H-GaN的分布特征.5.分析了C-GaN外延层中结构因子相近的002衍射和004衍射的强度差异原因：除了结构因子的影响外,还与二者的罗仑兹-偏振因子L<,p>及照射体积V有关.6.提出了一种测量晶格常数的方法,即利用同一晶面的不同级数衍射进行仪器零点误差的校正,从而获得准确的布拉格角.7.利用X光衍射技术分析了Si(111)衬底上MOCVD生长的H-GaN内C-GaN的分布以及H-GaN中的线缺陷特性.
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