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在过去的十年中,具有高的纵横比的一维半导体纳米结构,如纳米线(NWs),纳米带(NRs),碳纳米管(NTs)和多支链结构,由于其新颖的物理和化学性质已经吸引了相当多的研究兴趣。在半导体纳米结构这个巨大的家族中,II-VI族半导体纳米材料碲化锌(ZnTe)由于其独特的光学特性已得到了特别的关注和研究。然而本征的ZnTe纳米线电阻率过高导致其光电性能不够理想,限制了其在光电器件领域的应用。本文中采用了两种方法来提高ZnTe纳米线的光电特性,先是选取Ga/Ga2O3作为掺杂源利用热蒸发的方法实现了对ZnTe纳米线的可控掺杂,大大增加了它的光电流和暗电流；接着通过溶液法对ZnTe进行了金纳米颗粒的修饰,利用其表面等离子体共振效应增加了ZnTe纳米线对光的吸收。经过掺杂和修饰后的ZnTe纳米线对光的响应变的更加灵敏,更加适合应用于光电器件的制备。到目前为止,基于本征ZnTe纳米线的光电器件的性能仍不够理想,因此本文利用ZnTe:Ga纳米线／石墨烯形成的肖特基结和修饰金颗粒后的ZnTe纳米线构建了两种不同的光电探测器。经过分析,两种光电探测器都表现出非常好的稳定性和重复性。另外,ZnTe:Ga纳米线／石墨烯肖特基结光电探测器的光谱响应度和探测率分别达到4.17×103A/W和3.19×1013 cmHz1/2W-1,而修饰金颗粒的ZnTe光电探测器则为5.11×103 AW-1和3.28×1013 cmHZ1/2W-1。同本征ZnTe纳米线相比,两种新型光电探测器的响应率和探测能力都得到了很大的提高。最后,我们希望通过Ga掺杂和金颗粒修饰使ZnTe纳米线在未来可以构建更高性能的光电器件。