Si-O和Si-O-N系统中硅量子点的结晶和发光性能研究

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【摘要】

：

本文采用交替磁控溅射的方法制备了Si/SiO_2复合膜和SiO_2 /Si/SiO_2三明治结构,并对Si/SiO_2复合膜采用了快速退火加炉内退火的二步退火处理、对SiO_2 /Si/SiO_2三明治结构进行了炉内退火热处理工艺制备硅量子点。同时采用反应溅射的方法制备了不同元素比的Si_OxN_y薄膜,并进行了炉内退火处理得到不同状态的硅结晶。通过微观结构(TEM)的观察,以及成分(EDS),表

【作者】

：

李浩

【机构】

：

天津大学

【发表日期】

：

2007年01期

【关键词】

：

硅量子点退火溅射速率择优取向生长氮流失光致发光

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