太阳能电池能将太阳光能转换为电能，制作流程主要包括制绒、PN结扩散、等离子刻蚀、PSG清洗、PECVD镀膜、丝网印刷电极和烧结等步骤，其中PECVD镀膜步骤担负着光学减反和电学钝化的任务，对太阳能电池的电性能起着至关重要的作用。本论文主要针对PECVD镀氮化硅薄膜及其相关钝化技术进行研究，主要内容为：首先研究了常规氮化硅镀膜工艺中，镀膜温度、镀膜压力、镀膜功率和硅烷氨气流量比对氮化硅膜的折射率以及镀膜后硅片少子寿命的影响，这些工艺参数的研究，为后续的镀膜和钝化新技术的研究奠定了基础；然后研究了一种以等离子态的氨气为气氛的氢钝化技术，对镀膜前钝化、镀膜后和其它钝化参数进行实验对比，提升了硅片的少子寿命和短路电流等参数，并提升电池转换效率0.16%；最后进行了叠层镀膜工艺的研究，先研究了双层氮化硅薄膜技术，降低电池反射率同时使得钝化效果也一定提升，效率提升0.13%，然后进行了三层膜技术研究，相比双层膜钝化效果类似，但取得了600nm以下短波段更好的减反效果，更多的光吸收最终使得效率提升0.34%，最终以三层膜技术为主体，加入氨气氢钝化技术，并对PN扩散工艺进行调节匹配，效率与常规单层氮化硅薄膜工艺相比，效率提升0.4%以上。