石墨烯特殊的二维结构和优异的机械性能和导电导热性能使其成为材料领域的研究热点,其中一个重要的方向就是作为增强体添加到金属基体中制备石墨烯增强金属基复合材料。目前,关于石墨烯增强铜基复合材料的研究主要采用机械剥离法以及还原氧化石墨烯法从外部引入石墨烯,本文以2009年S.Ruoff等人在铜箔上制备高质量石墨烯的的研究为基础,尝试采用化学气相沉积法(CVD)在铜粉表面自生石墨烯从而制备石墨烯铜复合粉体材料。本文利用扫描电子显微镜(SEM)以及显微激光拉曼光谱(RAMAN)对铜箔上制备得到的产物的相组成以及微观显微形貌进行了分析;利用Raman、SEM、透射电子显微镜(TEM)对复合材料经过硝酸刻蚀后的产物形貌、相组成以及晶体结构等进行了分析。采用甲烷作为碳源气体在1000℃的温度下反应并通过PMMA保护转移法可以得到质量高、表面完整、缺陷较少的石墨烯薄膜。乙炔作为碳源气体时,最低裂解温度为650℃,此时可以在铜箔上得到极少量的碳纳米管,低于该温度时不会在铜箔上沉积碳原子。700℃左右是在铜箔上沉积碳纳米管的理想温度,当温度过高,达到750℃时会在铜箔上沉积非晶碳颗粒。随着乙炔流量的增加,在铜箔上生长碳纳米管的能力会不断增加,当乙炔流量为20sccm时可以在30min内得到覆盖整个铜箔表面的碳纳米管。通过化学气相沉积法控制反应温度为650℃-700℃之间,以粒径为10微米的球形铜粉为基体制备得到了石墨烯铜复合粉体材料。结果表明,随着乙炔流量的增加,在铜粉上生长得到的石墨烯完整度越来越好,同时厚度也随之不断增加。当反应温度为700℃,控制乙炔气体流量为10sccm-20sccm可以得到石墨烯层数为5-10层的石墨烯铜复合粉体材料。