飞秒脉冲激光在一定气体氛围下照射硅片,可在硅表面产生微米量级准规则排列的尖峰结构。实验表明微构造硅表面形貌与刻蚀过程中的背景气体、激光通量、气体压强等因素有关。在可见和近红外范围内(0.3μm-2.5μm)测量了微构造硅的光吸收,发现其在宽波段范围内有强的光吸收。背景气体,尖峰高度和退火温度都对微构造硅的光吸收有较大影响。在六氟化硫和氮气环境中制备的微构造硅在近红外波段的光吸收差异较大；微构造硅对光的吸收随表面尖峰高度的增加而增强；退火温度不同其光吸收也不同,退火温度越高,光的吸收率越低。研究了微构造硅的法向光谱发射率。实验表明微构造硅的发射率极高,接近标准黑体的发射率。微构造硅的发射率随着尖峰高度的增加而增强,并且测量过程中温度越高,光谱发射率越高。镀上金膜后的微构造硅的发射率呈现增强趋势,发射率依然随尖峰高度的增大,测量温度的升高而增强。如此高的发射率与微构造硅表面的结构和硅金相的形成有关。用微构造硅镀上电极做出原型器件,测其光电响应。实验结果显示,随着尖峰高度的增加,响应度增大。加0.5V偏压与不加偏压的响应度的差异也较大。退火温度对原型器件的响应度也有影响,退火温度越高,响应度也越高。微构造硅良好的光电性质在宽波段探测器,平面黑体辐射,高效太阳能电池等方面有很大的潜在应用价值。