黄铜矿类半导体晶体材料具有两个突出的优点:非线性光学系数大和中、远红外区透光波段宽,是目前最有吸引力的,具有重要应用背景的红外非线性光学材料。磷化锗锌晶体是其中性能的最优者。本论文围绕这种晶体进行了研究和讨论。对磷化锗锌晶体（ZnGeP₂）进行了生长研究。采用改进的单温区法合成了ZnGeP₂多晶料,经过XRD和TG表征,显示其质量达到标准样品的要求,可以作为晶体生长的原料;采用可视水平小角度倾斜温梯冷凝法生长了ZnGeP₂晶体,通过观察其截断面,显示其品质符合单晶的标准。对理想ZnGeP₂进行了理论计算。基于密度泛函理论,采用第一性原理平面波赝势法,对理想ZnGeP₂晶体的结构进行了优化,从理论上给出了该晶体的晶格参数和单点能,为该晶体的研究提供了理论依据。计算了理想ZnGeP₂晶体的能带结构、态密度和吸收光谱,该晶体是具有赝直接能隙的,吸收光谱的成因与电子从价带到导带的跃迁有关,而峰的位置则与电子态密度分布有直接关系。对缺陷ZnGeP₂晶体进行了理论计算。ZnGeP₂晶体主要存在的受主缺陷和施主缺陷分别是V_Zn -和Ge_Zn +。在对这两种缺陷晶体的结构进行优化的基础上,计算了它们的能带结构、态密度和吸收光谱。缺陷ZnGeP₂晶体的结构是稍有变形的四方黄铜矿类结构。V_Zn^-缺陷ZnGeP₂晶体是具有直接能隙的,而相应的Ge_Zn⁺缺陷ZnGeP₂晶体是具有赝直接能隙的。V_Zn^-对ZnGeP₂晶体吸收光谱产生的影响要大于Ge_Zn⁺的。