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本文利用浸渍法将碳纳米管(CNT)催化剂附着在石墨电极表面,用化学气相沉积法制备得到原位生长碳纳米管化学修饰电极(GSCNT-CME),研究了通过改变催化剂与反应气体配比制备原位生长缺陷碳纳米管化学修饰电极的方法,同时本文还研究了制备原位生长碳纳米管化学修饰电极最佳制备条件。1.采用浸渍法使催化剂附着在石墨电极表面,以H_2作为还原气体,N_2为保护气体,C_2H_2为碳源,采用化学气相沉积法直接在石墨基底上生长碳纳米管,获得GSCNT-CME,通过改变催化剂中La和Ni的摩尔比例获得了