【摘 要】
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低能离子束诱变育种的成功应用,激发了关于低能离子辐照生物体的原初物理过程的研究.其中最基本的问题是需要了解几十到百keV的低能离子辐照植物干种子时,可能到达或穿爱的深
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低能离子束诱变育种的成功应用,激发了关于低能离子辐照生物体的原初物理过程的研究.其中最基本的问题是需要了解几十到百keV的低能离子辐照植物干种子时,可能到达或穿爱的深度范围,从而正确认识产生可遗传变异的生物学效应.该论文发展了基于新的STM-HOPG粒子计数器的低能离子透射法,研究荷能离子在植物干种子样品中的长程穿透深度,空间分布特征以及植物样品的辐照损伤对低能离子穿透行为的影响;并结合MeVH<+>和He<+>离子透射能谱,SIMS等方法,进一步探讨了低能离子在植物样品中长程穿透的机制.首次基于STM观测HOPG表面的荷能粒子损伤的方法,发展了低剂量低能重粒子STM-HOPG计数器,测定了该计数器对不同入射角的20-100keVN<+>和Ar<+>离子的探测效率,并提出了计算探测效率的模型,计算结果与实验结果吻合.首次应用STM-HOPG粒子计数器进行低能离子透射测量,研究低能离子辐照植物样品时荷能离子穿透深度.测量该底达到(0.1-1)<*>10<9>ions/cm<2>.选用植物样品包托厚度30-100μm芸豆切片,35μm玉米种皮,20μm西红柿果皮等材料,以厚度1.5-75μmPET膜作为对照,进行了能量为40-100keV、剂量为0.5-30<*>10<16>ions/cm<2>的N<+>、Ar<+>和Ti<+>的低勇离子辐照.
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