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氮化镓属于宽带隙半导体材料,也是第三代半导体材料的代表,具有高载流子迁移率、良好的热传导性、生物相容性和化学稳定性等特点,广泛应用于高频、大功率和高温器件中。随着电子器件微纳化和自下向上制备技术的发展,不同形貌的氮化镓纳米结构相继被制备出来,一维纳米线尺寸更小和比表面积更大,从而使纳米线具有量子尺寸效应。氮化镓材料中存在大量的氮空位等缺陷,降低了材料的晶体质量。利用分子束外延和金属有机气相沉积可以获得掺杂的氮化镓,但设备昂贵,工艺复杂,实验成本高。利用水平管式炉生长纳米线具有工艺简单、易操作