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本报告由三篇相互联系又相对独立的研究论文组成，它们研究的对象都属于低维半导体结构，是目前半导体物理领域最热门的研究课题之一，这三篇论文分别就GaAs／GaAlAs T型量子线、InAs／GaAs应变自组织耦合量子点的电子与空穴子带结构、光跃迁特性、及其受外加磁场的影响等内容进行了一系列讨论。所得到的理论结果与现有实验数据相吻合，并预言了一些新的实验现象，对低维半导体激光器与探测器的研制与开发有一定的指导意义。