现代科技的发展对功率器件的性能以及衡量性能的标准提出了更高的要求,如雪崩耐量就是近年来对功率整流二极管提出的新要求,衡量雪崩耐量的标准也从最初的DVR、△VF到I_PPM再到雪崩功率,雪崩功率更能准确衡量二极管的雪崩耐量。本文针对1-25A二极管雪崩耐量的提高进行了从理论设计到实际制作的系统研究。首先,从理论上关于二极管纵向结构和终端结构对雪崩功率的影响进行了分析,确定雪崩整流二极管的结构为p⁺pn^-n⁺非穿通结构。考虑到实际工艺情况,并改进工艺使其斜角为正斜角且角度尽可能大。其次,在理论分析的基础上,利用Silvaco TCAD仿真软件对1200V的二极管的纵向结构参数进行仿真优化,确定器件结构参数为:p⁺区表面峰值浓度为5?10^{2 0}/cm³,宽度为65μm;p区表面峰值浓度为5?10¹⁶/cm³,宽度为55μm;基区掺杂浓度为1.3?10¹⁴/cm³,宽度为119μm;n⁺区表面峰值浓度为5?10^{2 0}/cm³,宽度为30μm。对所设计的正斜角器件特性进行仿真,并与负斜角器件的特性进行了对比,仿真结果与理论分析一致。最后,对所设计的器件进行工艺实验,通过对关键工艺进行分析研究,对一般二极管的制作工艺做如下改进:第一,将二次扩散工艺改成一次扩散工艺,并进行对比实验;第二,将传统的吹沙工艺改为电解去除硼磷硅玻璃法;第三,改进工艺实现正斜角结构。结合仿真,对比三组不同的实验数据进行分析,可得以下结论:1)p⁺pn^-n⁺非穿通结构更有利于雪崩功率的提高;2)一次扩散工艺,能有效的提高雪崩功率;3)采用正斜角终端结构,且角度越大越有利于提高雪崩功率。