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来源 :湘潭大学 | 被引量 : [!--cite_num--]次 | 上传用户:[!--user--]
【摘 要】
:
本论文以ZnO材料为研究对像,以化学气相沉积(CVD)为实验手段,分别对一维ZnO材料的六角截面形成机理、场致电子发射性能和p型薄膜掺杂做了研究。在对ZnO一维材料的六角截面形
【作 者】
:
宣凯
【机 构】
:
湘潭大学
【出 处】
:
湘潭大学
【发表日期】
:
2006年期
【关键词】
:
ZnO
纳米柱
微米柱
场发射
场增强因子
p型掺杂
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