本文采用ECR—CVD方法，以C4F8和CH4为源气体，在不同工艺条件下制备了氟化非晶碳(a-C：F)薄膜。薄膜沉积速率随气体流量比变化的关系表明了薄膜生长与表面刻蚀是一个竞争的过程。FTIR分析表明，a-CF薄膜中存在CF=CF和位于a-C：F薄膜交联结构末端的CF2=CF结构。XPS分析表明，位于a．C：F薄膜交联结构末端的CF3和C-C结合态热稳定性较差，退火后容易生成气态挥发物并导致a-C：F薄膜厚度减小。当流量比增大时，位于a-C：F薄膜交联结构末端的c．c和CF3结构减少时，C-CFx交联结构增多，a-C-F薄膜热稳定性提高。C-V特性表明，退火后a-C：F膜固定电荷密度和界面态密度由于薄膜交联程度的增大和悬挂键数量的减小而下降，介电常数由于电子极化和薄膜密度的增大而上升。I-V特性表明，薄膜在低场强区域导电行为呈现欧姆特性，高场区符合空间电荷限流机制。退火后由于薄膜中悬挂键数量的减小，表现出较好的漏电流特性。