论文从快恢复二极管的理论原理开始阐述，研究和探讨了二极管反向恢复时间、正向压降、反向击穿电压等各参数之间的关系和设计思路，对快恢复二极管的各项参数特性以及测试原理进行了较为详细的介绍。并对比目前国内外主流快恢复二极管结构之间的优缺点。论文根据之前阐述的设计原理及思路，以目前我公司正在研制生产的某型号玻璃钝化封装快恢复整流二极管为例，对大功率快恢复二极管的各个参数的设计以及工艺的流程进行了一一说明和分析，并结合实际的生产试验，确定和优化了产品的工艺方法，研制出具有体积小、工作电流大、反向电压高、反向恢复时间快、可靠性高等特点的产品。论文工艺方案选用电阻率很低的N型硅单晶片作为衬底，采用外延和扩散相结合的方式来得到高阻区宽度可精确控制的P⁺NN⁺结构二极管，以便获得较小的正向压降；采用铂液态源扩散工艺来降低产品反向恢复时间，达到产品反向漏电流较小的目的。双面进行蒸铝制作表面金属化；喷沙机械造型和化学腐蚀形成台面提高反向击穿电压；玻璃钝化保护PN结减小表面污染从而降低表面漏电流提高耐压等技术，得到较为理想的反向击穿电压VBR，正向压降VF，反向恢复时间t_rr三参数之间的折衷。论文制作出的玻璃钝化实体封装样管达到了反向击穿电压V（BR）（I_R=100μA）在1200V以上，正向压降V_F(I_FM=15A)在1.4V以下，反向恢复时间t_rr（IF=0.5A，I_R=1A，IREC=0.25A）在150ns以内的水平。为以后设计人员对产品的设计方式和思路以及对扩大产品领域的研发，提供一定的参考价值。