目的：随着电力事业的发展,人群接触极低频磁场的时间和强度愈来愈大,人们对极低频磁场的效应也愈加关注。早期的研究表明极低频磁场可以诱导细胞分子水平的改变,如：细胞缝隙连接功能(GJIC)下降、细胞膜表皮生长因子受体(EGFR)和肿瘤坏死因子受体(TNFR)聚簇,以及基因和蛋白质表达谱发生改变等等。细胞自噬是机体重要的一种防御和保护机制,它大量降解并重复利用长寿命蛋白质、大分子物质以及细胞内受损的细胞器等,使细胞能够在饥饿环境下得以生存,细胞自噬和神经退行性疾病、衰老以及肿瘤相关。有研究发现电离辐射如γ射线,非电离辐射如紫外线等均会诱导细胞自噬效应,本研究初步探索与人们日常生活密切相关的工频磁场(50Hz0.4mT)对中国仓鼠肺成纤维细胞(Chinese hamster lung cells, CHL)的细胞自噬的诱导。方法：CHL细胞培养24小时,更换新鲜的培养基后进行50Hz0.4mT工频磁场暴露30分钟、2小时、6小时、12小时或者24小时,磁场暴露后通过以下三种方法检测细胞自噬水平：透射电镜观察细胞内空泡变化,激光共聚焦显微镜检测细胞内GFP-LC3定位自噬小体情况以及Western Blot实验检测细胞内LC3-Ⅱ表达。结果：透射电子显微镜观察到,工频磁场暴露30分钟和24小时诱导细胞内空泡增加；激光共聚焦显微镜观察到,在GFP-LC3高表达的CHL细胞内,工频磁场暴露不同时间点诱导GFP-LC3亮点标记的自噬小体增加(P>0.05),30分钟和24小时升高趋势较为明显；Western Blot技术检测发现磁场暴露促进自噬的特异性标记蛋白LC3-Ⅱ表达增加(P>0.05),30分钟和24小时升高趋势较为明显；加入自噬小体与溶酶体融合的阻断剂氯喹后,磁场暴露30 min自噬流量增加(P<0.05)。结论：这些研究提示本实验条件下50Hz0.4mT工频磁场暴露可能诱导CHL细胞自噬效应。