随着核技术的发展与科技的进步,核辐射探测半导体材料在国防建设、医疗卫生等领域都具有广阔的发展前景。一碘化铟晶体有较大的禁带宽度,较高的平均原子序数,较高的电阻率和较大的载流子迁移率-寿命积,以其做探测芯片的探测器具有较高的探测效率和能量分辨率,并且能够在室温下进行保存和使用,因此受到国内外广泛关注,并成为近年来重点研究的室温核探测材料之一。高纯度的一碘化铟多晶原料是生长出高性能一碘化铟单晶的关键,因此研究高纯近化学计量比一碘化铟多晶料的合成工艺就尤为重要。本文以获得高纯度且具有理想化学配比的一碘化铟多晶料为目标,以高纯I2(5N)和In(7N)为原料,采用两温区气相输运法制备了一碘化铟多晶料,研究了高纯一碘化铟多晶合成工艺。首先,阐述了半导体合成的物理机制,包括半导体晶体成核、生长的界面稳定性以及生长的输运过程;针对不同类型半导体,阐述了化合物半导体材料的合成方法。其次,分析了一碘化铟多晶合成反应的动力学机理,结合相图,得出了适于合成高纯近化学计量比一碘化铟多晶料的控制参数;通过一碘化铟晶体的反应热力学计算,得出反应温度与一碘化铟多晶合成速率的关系;采用不同碘铟配比的原料,利用两温区气相输运法,在石英安瓿中进行一碘化铟多晶的合成。最后,将不同碘铟配比原料合成出的一碘化铟多晶样品用透射电子显微镜进行晶体结构、晶相组成的鉴定;用X射线粉末衍射方法对其进行晶体结构测定;用扫描电子显微镜-X射线能量色散谱仪对其表面形貌及成分进行分析;用等离子体原子发射光谱仪对其组成的元素进行痕量测定;并用四探针对其电阻率进行测量。