【摘 要】
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本文系统地分析了电子经过多个δ磁势垒的自旋隧穿行为并给出一套普遍的递推公式。我们利用该公式分析了电子在由门电压控制的外加电场将磁场矢势抵消的情况下在多个δ磁势垒
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本文系统地分析了电子经过多个δ磁势垒的自旋隧穿行为并给出一套普遍的递推公式。我们利用该公式分析了电子在由门电压控制的外加电场将磁场矢势抵消的情况下在多个δ磁势垒中的自旋输运和极化现象。经过理论和数值的分析,我们发现当磁场的方向满足某种关系时电子自旋极化现象消失了。我们将这种关系归纳成公式并分析了其中的物理本质以及它的应用。
在第一章中,我们主要回顾了自旋电子学的发展历程和自旋电子器件的要求。
在第二章中,我们介绍Amlan Majumdar和G.Papp的双δ磁势垒模型及其错误,然后介绍Yong Guo的双δ磁势垒模型。
在第三章中,我们给出多δ磁势垒模型并给出一套普遍的递推公式。利用该公式我们分析了电子在由门电压控制的外加电场将磁场矢势抵消的情况下在多个δ磁势垒中的自旋输运和极化现象并得出一套“非极化窗”的公式。最后我们分析了其中的物理本质以及它的应用。
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