【摘 要】
：
随着氧化物薄膜晶体管（Thin Film Transistor,TFT）被广泛应用于平板显示领域,越来越多的材料己被证明是良好的沟道材料,如In Ga Zn O（IGZO）,Zn Sn O（ZTO）,In Ga Sn O（IGTO）等。然而,随着现代显示技术的发展与进步,人们对薄膜晶体管器件性能也提出了更高的要求,传统的单沟道TFT由于载流子迁移率低、缺陷多和退火温度高等限制,已经逐渐难以满足商业
论文部分内容阅读
随着氧化物薄膜晶体管（Thin Film Transistor,TFT）被广泛应用于平板显示领域,越来越多的材料己被证明是良好的沟道材料,如In Ga Zn O（IGZO）,Zn Sn O（ZTO）,In Ga Sn O（IGTO）等。然而,随着现代显示技术的发展与进步,人们对薄膜晶体管器件性能也提出了更高的要求,传统的单沟道TFT由于载流子迁移率低、缺陷多和退火温度高等限制,已经逐渐难以满足商业应用的要求。仅通过改变沟道材料,很难从根本上解决以上问题。因此,考虑在单沟道IGTO TFT的基础上,改变TFT的结构,采用双沟道有源层结构,利用直流磁控溅射技术制备IGTO/IGTO TFT和IGTO/IGZO TFT,通过优化制备条件,提高IGTO/IGTO TFT和IGTO/IGZO TFT器件的性能。本文主要研究工作如下:1.研究不同的溅射工艺对单沟道IGTO TFT器件性能的影响。不同的氩氧比、溅射功率和有源层厚度对IGTO薄膜的电阻率和表面形貌等有较大影响,这些条件因素将极大的影响器件性能。实验结果表明,当直流磁控溅射的溅射功率为180 W、氩氧比为70:20和有源层厚度为60 nm时,单沟道IGTO TFT的性能最佳,其载流子迁移率为7.6 cm~2?V-1?s-1,阈值电压为3.2 V,电流开关比为1.2×10~5。2.基于上述单沟道IGTO TFT器件,研究氩氧比和有源层厚度对IGTO/IGTO TFT和IGTO/IGZO TFT器件性能的影响。实验表明,对比单沟道IGTO TFT,通过改变前后沟道的氩氧比和有源层厚度,可以结合前后沟道有源层不同电学性能,充分发挥双沟道有源层的结构优势,可以极大提高IGTO/IGTO TFT和IGTO/IGZO TFT器件性能,其载流子迁移率和电流开关比均大幅度提高,阈值电压接近于零。当前沟道氩氧比为16:2,前沟道有源层厚度为12 nm,后沟道氩氧比为65:20,后沟道有源层厚度为40 nm时,IGTO/IGTO TFT器件性能最佳,其载流子迁移率为13.53 cm~2?V-1?s-1,阈值电压为0.9 V,电流开关比为7.4×10~6;当前沟道氩氧比为16:0,前沟道有源层厚度为10 nm,后沟道氩氧比为20:18,后沟道有源层厚度为30 nm时,IGTO/IGZO TFT器件性能最佳,其载流子迁移率为17.25 cm~2?V-1?s-1,阈值电压为0.6 V,电流开关比为9.7×10~6。3.对比IGTO/IGTO TFT和IGTO/IGZO TFT器件性能随氩氧比和有源层的变化规律。实验结果表明,相较于同质结IGTO/IGTO TFT,异质结IGTO/IGZO TFT的电学调制作用更强,器件电学性能更好,其载流子迁移率大幅度提高。
其他文献
＜正＞当前，全球制造业正经历深刻变革，受逆全球化和保护主义抬头、国际经贸规则重构、发达国家推动产业链回迁、新一轮科技革命加速推进等多重因素影响，未来全球制造业和产业链供应链格局将朝着区域化、本土化、多元化、数字化等方向加速调整和重塑。各国需要加强合作、互学互鉴，共同把握新一轮科技和产业革命机遇，增强制造业技术创新能力，推动制造业质量变革、效率变革、动力变革。
在企业的发展过程中，人才队伍的培养极为重要，在这其中，工商管理的团队人员培养是比较重要的。为保证企业在市场竞争中站稳脚跟，获得发展，需要对工商管理人员团队进行大力培养，提升管理团队的工作能力。工商管理人员应该具备的决策能力、组织和协调能力等则是考评工商管理人员的能力是否优秀的标准。具备这些优秀的品质，企业经营管理才会游刃有余。本文对企业在探究提升工商管理人员能力的方法手段方面问题做一定程度的讨论，
当前，以制造业分工和贸易体系为主导的全球自由贸易体系，正在发生减弱的趋势，甚至出现了可能瓦解的苗头，这必然会对中国式现代化的推进带来难以忽略的风险和挑战。面对美国针对中国正在实施的全局性“脱钩”行为，欧盟针对中国试图实施的局部性“脱钩”行为等变化，如何主动应对和积极化解，成为当前中国的核心战略之一。在全面分析当前全球制造业分工和贸易体系重大变化的基础上，重点解构其驱动机制，由此识别和提炼其发展趋势
在后摩尔时代的集成电路领域,三维集成已是大势所趋。垂直沟道薄膜晶体管（VTFT）作为一种新型的薄膜晶体管（TFT）器件结构,因其能够有效地减小器件尺寸和缩短沟道长度,越来越受到人们的关注。而铟镓锌氧化物（IGZO）作为一种高电子迁移率、宽带隙和可见光范围内透明的半导体材料,在VTFT的研究领域有着广阔的应用前景。本论文从优化ITO/SiO2堆叠层的刻蚀工艺着手,通过优化刻蚀时间等刻蚀条件,得到了较
随着经济与城市建设的发展,电梯的使用量与日俱增,已经成为人们进出高层建筑不可或缺的代步工具,与人们的生活息息相关。但是由于电梯行业培训受师资、培训成本、实训器材或设施等因素影响,导致学习渠道受限,且缺少实操和实践的机会。所以近年来,随着系统仿真技术的发展,电梯技术仿真实训软件被国内外越来越多的企业、学校等成功导入。本论文主要介绍电梯技术仿真实训软件的研发背景,研发过程,软件特点等内容。
让历史文化资源活起来，就是充分挖掘历史文化资源内涵，推动其资源价值化开发。释放历史文化资源所蕴含的能量，需要从市场化的角度，通过构建文化IP为核心的商业模式来实现。国内很多地区都有独特的历史文化资源，打造文化IP的路径就有许多选项。本文选取经济基础较差但历史文化资源丰富的海南儋州作为研究案例，以打造文化IP视角，探索如何有效发挥历史文化资源的优势禀赋，从而带动当地旅游业的增长。此外，本文总结出儋州
目的 对针刺联合声治疗特发性耳鸣进行临床疗效观察。方法 将特发性耳鸣患者100例按照随机数字表法，随机分组为治疗组和对照组，各50例，治疗组予以针刺联合声治疗，对照组口服呋喃硫胺和西比灵，比较2组治疗前后耳鸣的分级评分情况和睡眠障碍的改善情况。结果 治疗5周后及治疗结束后1个月随访，治疗组耳鸣临床疗效评估以及睡眠障碍改善情况均优于对照组（P＜0.05）。结论 针刺联合声治疗对特发性耳鸣治疗有效，同
高素质统战干部队伍建设是新时代统战工作高质量发展的重要组织保证，是加强党的组织建设的时代之需。在我国迈进“第二个百年”奋斗目标的新征程中，巩固和发展最广泛的爱国统一战线，充分发挥统一战线强大法宝作用，离不开一支具有坚强党性、过硬能力、丰富学识、优良作风的高素质统战干部队伍。新时代高素质统战干部队伍建设的关键在于把握好“涵养情怀”、“担当责任”、“守正创新”、“本领高强”四重维度。新时代高素质统战干
沉浸式数字叙事是融合沉浸式叙事与数字叙事的新兴叙事形态，目前已在数字人文项目中得到应用。本研究对沉浸式数字叙事进行全面调研，旨在为沉浸式数字叙事实践提供参考。调查总结沉浸式数字叙事的应用场景和实现路径，发现当前沉浸式数字叙事的应用场景主要涉及四大领域，实现路径综合采用了多种叙事主体组织形态、叙事策略和技术手段。基于调查结果，建议沉浸式数字叙事实践可向平台化、多技术栈、多模态方向发展。最后，以“闽台
绳金塔历史文化街区是南昌老城发展兴衰的见证者，其产业发展、文化传承和风貌延续等问题不断产生，逐渐滞后于新时代发展的需求。文章从文化IP的概念与特征着手，分析街区文化资源提取IP元素，从业态、建筑、街巷、空间四个方面提出以文化IP为核心的活化策略，并进行规划引导，探索一条文化IP与历史文化街区融合创新发展的活力复兴道路。