在MEMS封装技术中，真空封装仍是一个重点研究的课题，许多MEMS器件涉及到真空密封的问题，真空密封性的好坏对器件的性能有着重要的影响，甚至决定着器件能否正常工作。目前真空封装技术存在着成本高、可靠性差等问题。例如常用的键合技术，由于键合材料和腔体材料残余气体的存在和释放，微腔内的真空度降低，影响器件的性能和使用寿命。目前，改善吸气剂的吸气特性以提高MEMS真空封装技术水平，已经成为MEMS器件研究的一个重要方向。本文尝试利用具有高比表面积和自身储气特性的碳纳米管(CNTs)作为骨架，制备纳米吸气剂，以提高吸气剂的吸气性能。　　课题研究重点是以具有高比表面积和自身储气特性的CNTs作为骨架，用真空金属材料Ti膜来增强化学吸附，制备纳米吸气剂，并通过测试，评价纳米吸气剂的吸气性能。具体研究工作包括以下几部分:　　制备CNTs:采用Ni/Fe二元合金为催化剂，CH4为碳源气体，采用化学气相沉积法(CVD)在Si基上制备大面积、均匀(管径范围20～400nm)CNTs;　　Ti膜溅射:分析吸气剂的工作原理，利用已生长的CNTs作为骨架，溅射上一层200nm的Ti薄膜来制备纳米吸气剂，以提高纳米吸气剂的吸气特性;　　图形化生长CNTs:为了便于将纳米吸气剂应用于MEMS器件真空封装，需要使CNTs只在基底特定位置生长。本文利用光刻技术，实现了CNTs选择性地在Si基上生长;　　CNTs比表面积和孔隙度测定:利用自动吸附仪测试CNTs比表面积为154.3922m2/g，且样品中含有中孔和大孔;　　定性评价纳米吸气剂吸气性能:通过热重分析仪(TGA)测试，证实具有大比表面积的纳米吸气剂的吸气性能;　　定量测试纳米吸气剂吸气性能:采用动态定压法进一步准确地测定纳米吸气剂的吸气量和吸气速率，并与传统的St175吸气剂进行吸气性能的比较。