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【摘 要】
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随着芯片制程工艺的降低以及3D堆叠技术的出现,NAND Flash芯片的存储密度越来越高,物理块也越来越大。与此同时,NAND Flash的原始错误率(Raw Bit Error Rate,RBER)急剧增加,
【出 处】
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华中科技大学
【发表日期】
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2004年期
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