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铌酸锂晶体是一种在诸多领域都具有重要技术应用的光折变材料,尤其在光学体全息存储方面表现出非常优越的性能,被认为是光存储介质的首选材料之一。长期以来,研究人员从实验上对其结构、性能及各种掺杂特性的研究表明,铌酸锂晶体类似于钛铁矿型结构,内部存在相当数量的本征缺陷结构,这使得晶体中能够引入多种杂质离子从而拓展了它在各个方面的实际应用。本文通过理论计算的手段,利用基于密度泛函理论的第一性原理,对所建立的各类掺杂铌酸锂晶体的电子结构和光学性质的进行研究,结果表明:1.掺Fe铌酸锂晶体禁带内出现的杂质能级由F