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SiC低维纳米材料因结合本征的物理性质和纳米尺寸效应而产生一些特殊性能,日益受到青睐。SiC低维纳米材料既具有SiC块材的高熔点、高强度、高热导率、低热膨胀系数和良好的化学稳定性,又具有低维宽禁带半导体特殊的光学及电学特性,使其在高温、高频、大功率的半导体器件及纳米尺度的电子光电子领域具有巨大的潜在应用价值。本文采用射频磁控溅射方法制备了SiC薄膜和碳热还原法制备了SiC纳米线。采用傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)、扫