论文部分内容阅读
微元阵Si-APD以其高增益、响应速度快、灵敏度高、动态范围大、对磁场不敏感等优点而成为近年来单光子探测器的研究热点。而其暗电流一直是制约其微弱光探测精度的主要因素，这限制了它在军事、医疗、生物、通信等众多研究领域的应用。本论文从纵向结构的掺杂分布和横向结构的串扰两方面对影响微元阵Si-APD的暗电流的因素进行了探讨。纵向结构上，首先，构建各层均匀掺杂的微元Si-APD的结构模型，以电场分布、离化率和电场关系、倍增因子、暗电流的研究思路构建了理论分析框架，为暗电流的研究提供了方法。其