【摘 要】
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铁电薄膜具有良好的铁电性、压电性、热释电性、电光及非线性光学等特性,可广泛应用于微电子机械系统、光电子学和集成光学等领域。厚度在100nm以下的超薄铁电薄膜,具有不同于体材和一般薄膜的新电学特性,因此在铁电隧道结存储器、电阻开关存储器等领域有很好的应用前景。本文采用磁控溅射法和脉冲激光沉积法,分别在Pt/Ti/SiO2/Si衬底和Nb:SrTiO3单晶片衬底上制备出15-80nm厚度的BaTiO3
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铁电薄膜具有良好的铁电性、压电性、热释电性、电光及非线性光学等特性,可广泛应用于微电子机械系统、光电子学和集成光学等领域。厚度在100nm以下的超薄铁电薄膜,具有不同于体材和一般薄膜的新电学特性,因此在铁电隧道结存储器、电阻开关存储器等领域有很好的应用前景。本文采用磁控溅射法和脉冲激光沉积法,分别在Pt/Ti/SiO2/Si衬底和Nb:SrTiO3单晶片衬底上制备出15-80nm厚度的BaTiO3铁电薄膜。通过对BaTiO3铁电薄膜的微观结构和电学性能测试分析,得到如下主要实验结果和结论:1、根据优化的磁控溅射工艺条件,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了50nm和80nm两种厚度的BaTiO3铁电薄膜。XRD测试表明薄膜是高度取向生长的。AFM和SEM测试表明薄膜的表面平整度很高、无裂纹和微孔等缺陷,薄膜和衬底间的界面清晰。根据优化的脉冲激光沉积工艺条件,在Nb:SrTiO3单晶片衬底上制备了15nm厚度的BaTiO3铁电薄膜。XRD测试表明薄膜是高度取向生长的,结合TEM高分辨像证实了BaTiO3薄膜的外延性良好,外延生长方向为BaTiO3(100)//Nb:SrTiO3(100)=AFM测试表明薄膜的表面非常平整,均方根粗糙度(RMS)仅为0.82nm。2、在电学性能方面,测试了薄膜的P-V电滞回线、C-V曲线。薄膜的电滞回线表明薄膜均具有良好的铁电性。BaTiO3铁电薄膜的Pr值随着薄膜的厚度降低而减小,在80nm时Pr值为3.5μC/cm2,在50nm时Pr值为2.5μC/cm2,在15nm时Pr值为0.15μC/cm2。薄膜的C-V测试表明其介电常数随频率升高而降低,C-V蝶形回线也证实其具有良好的铁电性。分析C-V曲线还表明,在Pt/BaTiO3/Nb:SrTiO3结构中存在一个正向的内建电场。3、测试了BaTiO3薄膜的I-V特性曲线,研究了BaTiO3铁电薄膜的电输运机理。分析表明,薄膜的导电机制在低电场下表现为欧姆导电机制和空间电荷限制电流机制(SCLC)、在中等电场下表现为肖特基发射机制、在高电场下表现为普尔-弗兰克发射机制(P-F)。在很低电压区域,不论正负偏压下,基本为欧姆导电机制。由于电极/薄膜的界面处存在肖特基势垒,使得薄膜在正负偏压下,其电输运机制有所差别。4、I-V测试还表明BaTiO3铁电薄膜具有电致电阻效应。分析了电致电阻效应的形成机理:BaTiO3铁电薄膜中的氧空位作为可移动的施主陷阱,可形成传导通道(低阻态)。当电压超过阈值电压时,高电流产生热效应,使电子脱离缺陷,传导通道被断开(高阻态)。当施加正向偏压时,顶电极界面的氧空位被排开,导致界面的肖特基势垒变宽,因此薄膜保持在高阻态。当施加负向偏压时,氧空位被吸引到顶电极,降低了肖特基势垒高度,导致薄膜转变为低阻态。进一步分析了薄膜中电致电阻效应的电输运机理:当施加正向偏压时,其电流满足空间电荷限制电流机制;加反向偏压时,在低电压时电流主要是P-F发射机制,高电压下则满足F-N隧穿机制。
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