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目前晶形修饰剂在炸药晶体形貌控制过程中得到了广泛的应用,晶种法可以有效改善晶体的粒径分布。在重结晶TATB过程中将两者结合使用,有助于得到高品质TATB晶体。本文采用MS研究了TATB重要生长晶面与晶形修饰剂间的相互作用。在冷却重结晶过程中探讨了晶形修饰剂、搅拌速度、冷却方式、TATB/DMSO饱和溶液初始冷却温度和晶种法对TATB晶形及粒度分布的影响,并从晶体生长理论的角度分析解释。通过SEM、XRD、HPLC、微米粒度测试仪和DSC对TATB晶体进行分析测试。MS模拟结果表明：(1-10)、(100)和(010)晶面主要通过氢键作用吸附含有极性基团的晶形修饰剂；而(001)晶面主要通过π-π相互作用吸附含苯环晶形修饰剂。在重结晶TATB过程中通过添加不同种类的晶形修饰剂,有效改变晶面表面能,从而改变晶面的相对生长速率,得到目标晶形。这为TATB晶形控制选择晶形修饰剂提供了理论依据。通过单因素实验研究,确定了制备目标晶形TATB的冷却重结晶最佳工艺条件：125℃的TATB/DMSO饱和溶液以1℃/min线性降温至75℃,然后自然冷却,若选用0.496%TW-20,搅拌为300 r/min时可以得到粒径分布比较狭窄的类球状TATB晶体,纯度为99.82%；而选用0.478%TEBAC,搅拌为100 r/min时可以得到片状TATB晶体,纯度为99.83%。进一步研究表明,在上述球形化TATB最佳条件下,晶种法的引入能使重结晶所得的TATB晶形更加规则,粒径分布更加窄,纯度高达99.85%。重结晶还可以提高TATB的结晶度。粒径相近时,重结晶对TATB晶体的热性能的影响不大,分解放热峰基本在377.61～382.84℃区间内。因此,通过重结晶可以制备高品质的TATB。