MHz级eGaN HEMT器件驱动研究

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【摘要】

：

提高开关频率是提高变换器功率密度的重要途径之一。目前开关频率MHz级的谐振功率变换系统已成为国际上小功率变换技术的研究热点。另外增强型氮化镓(enhancement Gallium Nitride,eGaN)高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)具有极小的性能系数,适合高频工作,但现阶段eGaN HEMT在高频谐振变换器的应用仍存在很多挑

【作者】

：

董舟

【机构】

：

南京航空航天大学

【发表日期】

：

2017年01期

【关键词】

：

eGaN HEMT器件同步整流数字控制状态空间建模 MHz频率驱动方式

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