SiC材料具有带隙宽度可调、高硬度、高临界击穿电场、高热导率及化学稳定性好等特点,且SiC的介电常数为复函数,在Reststrahlen光谱带内支持耦合光子-声子表面波即表面声子极化子(SPhP),从而在热辐射方面有重要应用。本论文主要研究了基于SiC的一维周期结构和二维周期结构的热辐射特性。论文主要工作如下:(1)分析了单层SiC结构和一维周期SiC-SiO2光子晶体的热辐射特性。研究发现单层SiC结构具有较好的热辐射特性,其辐射峰的幅度可以接近1。通过研究光子晶体的周期、长度、角度对辐射特性的影响,发现在一维SiC-SiO2光子晶体中,通过改变入射角度可以实现双波段辐射,在10.2 μm和12.7 μm波长处,热辐射峰的高度可以达到0.32和0.77。(2)研究了基于SiC的多种二维周期结构的热辐射特性。对于实心风车、空心风车和十字对称结构,其TE波和TM波的热辐射特性相同,通过调节参数均可实现幅度为1的热辐射;对于非对称的十字结构,可在不同频率下获得TE和TM波的高辐射峰,且辐射幅度可达到1;对于垂直条形和对角条形结构,通过改变表面条形的相对位置,可在圆极化波下产生多波段热辐射,其中对于垂直条形结构,可在11.8μm和12.1 μm波长位置实现双波段辐射;对于对角条形结构,可在11.8 μm、12.1μm、12.3 μm波长处实现三波段辐射。(3)加工并测试了一种基于SiC的二维周期结构,其中,测试得到的TE和TM波的辐射位置分别为11.75 μm和12.25μm,辐射幅度分别为0.83和0.8,实验结果与仿真模拟基本一致,从而进一步验证了所设计结构的TE和TM波段的热辐射特性。基于SiC的一维和二维周期结构热辐射源在窄带的红外波段范围内产生相干热辐射有着重要的理论和应用价值,本论文提出构造多边带SiC热辐射结构思路,为相关SiC热辐射的研究提供了重要的理论基础和技术支持。