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伴随着显示技术的发展,ZnO基氧化物半导体透明薄膜晶体管已经从研发阶段进入了实际的应用阶段。相比于多晶(Poly)的ZnO薄膜制成的Poly-ZnO薄膜晶体管,非晶态ZnO基氧化物薄膜没有晶粒边界的影响,这种薄膜制成的晶体管具有更高的迁移率、更高的光学透过率、更高的稳定性。MglnZnO (MIZO)薄膜是最近新出现的一种新型透明氧化物薄膜,其Mg在薄膜中起到了抑制载流子的作用,有效地降低器件的漏电流。本文围绕着MIZO薄膜的制备和MIZO薄膜晶体管的制备,系统地研究了MIZO薄膜和所制成的MIZO薄膜晶体管的性能和特点。论文首先研究了MIZO薄膜的制备以及薄膜性能。本文中采用溶胶-凝胶法制备MIZO薄膜,通过变化掺杂Mg的浓度,研究了不同的Mg配比含量的MIZO薄膜的晶态和透过率。制备的MIZO薄膜是非晶薄膜,有着非常高的透过率。通过不同的制备温度,研究了MIZO薄膜的成膜机理,并且通过TG-DTA实验进行了具体分析。然后将制备的MIZO薄膜应用于制备薄膜晶体管。首先制备了MIZO薄膜晶体管。通过不同Mg含量配比的薄膜晶体管的对比发现,Mg含量为5%的MIZO晶体管表现出更好的性能。使用5%Mg含量配比的MIZO薄膜与Pt薄膜制备了MIZO/Pt肖特基结,用此肖特基结制成肖特基源漏MIZO薄膜晶体管,器件迁移率达到0.064cm2V1s-1,亚阈值摆幅达到2.93V/dec,阈值电压在5.17V,开关比接近104。相比于普通的欧姆接触的薄膜晶体管,肖特基源漏薄膜晶体管具有更低的饱和漏电压和饱和漏电流,这为我们制备低功耗器件提供了启示。最后对MIZO薄膜晶体管器件进行了退化测试。结果表明,放置了一个月的薄膜晶体管器件的性能有了很大的退化。然后,通过退火对器件进行了退化修复,并测试了器件修复后的特性。通过改变肖特基源漏结构薄膜晶体管器件有源层的厚度(旋涂次数),研究不同厚度对于器件性能的影响。最后,我们还对器件进行了疲劳测试和耐热测试.